静電型（コンデンサ型）ヘッドホン専用アンプ 19

 方形波（矩形波）のオーバーシュートについては害はなさそうだがちょっといじってみたくなった。帰還抵抗220 kΩにパラに小容量のキャパシタを入れてみることにした。部品箱からディップドシルバーマイカ1 pF 500 Vを4個取り出して、って、そんな立派なものが入っている筈がない。基盤にピンヘッダーを付けて、それに外形1.3 mm位のジャンパー配線用のワイヤーを4 cm位に切って2本より合わせて接続。昔々組み立てた秋月のメーターキットで簡易測定してみると1.5 pF位ある（測定域の下端で正確ではないだろう）。オシロでみるとオーバーシュートは小さくなったが、まだ僅かにギザギザしている。これ以上は方形波の発振器をちゃんとしたファンクションジェネレータに変えるとかしてみないと分からないなあ。1.5 pFでは大きすぎるかも。ワイヤーをもう少し切り詰めて0.5 pF位にするか？

さて、終段のミラー効果を避け五極管12AU6を高抵抗低容量負荷で受けて高音域がすっきり伸ばせているのはカソードフォロワのおかげであるが、ここまでする必要はないかも知れない。利得は余っているのだから初段の12AU6の負荷抵抗を半分ぐらいにすれば利得も半減するがカソードフォロワ段を省いてもカットオフが30 kHz位にあがり、問題はないだろう。軽めのNFB（6～10 dB位？）で調整も楽だろう。次やるとしたらそれだな。

終段が6463でなく6FQ7系列の球ならCg-pが少し小さいからもう少し楽かもしれない。現在はバランスSRPPの下の球のカソード共通の抵抗を大きめの5 kΩとしている。多少は不平衡の是正も期待してのことであるが、カソードフォロワ段の負荷抵抗で生じる電圧を確保する意味もあった。カソードフォロワ段を省けるのならもっと小さな抵抗で済む。現状は発熱が結構あるのでこの5 kΩはセメント抵抗である。抵抗値が下がれば発熱も下がる。負電圧も低くて済む。

　初段を真空管に拘らなければ、半導体のクロスシャント位相反転を使う手がある。P-ch jFETをうまく使えば、終段のSRPPと直結できる。上の図は故 上條信一 氏の記述（一日一回路　https://www.ne.jp/asahi/evo/amp/1d1c/1）やJohn R Broskie 氏の記述（https://www.tubecad.com/2009/07/blog0166.htm）を参考にした。


　思い付きで書いているので電圧配分も含めかなりいい加減。2SK30Aや2SJ74なんてもう手に入らないし…
ジャンク箱の中にはあったかも知れないので漁ってみるか？
（2023.01.23 修正追記）







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